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參數資料
| 型號： | 2SB1109 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 中文描述： | 硅外延進步黨（外延進步黨晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SB1109 |
2SB1109, 2SB1110
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SD1609 and 2SD1610
Outline
123
TO-126 MOD
1. Emitter
2. Collector
3. Base
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Ratings
Item
Symbol
2SB1109
2SB1110
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
–160
–200
V
Collector to emitter voltage
–160
–200
V
Emitter to base voltage
–5
–5
V
Collector current
–100
–100
mA
Collector power dissipation
1.25
1.25
W
Junction temperature
150
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–45 to +150
–45 to +150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1110 | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 2SB1114 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
| 2SB1115 | FILTER PLATE |
| 2SB1115A | FILTER PLATE |
| 2SB1115AYM | BJT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1109B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1109C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1109D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER) |
| 2SB1110B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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