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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1121T-TD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | 2SB1121T-TD |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1125 | 700 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1625 | 700 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1126 | 1500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1626 | 1500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1127S | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1121T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1121U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1122 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency Power Amp Applications |
| 2SB1122_11 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Applications |
| 2SB1122-D | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency Power Amplifier Applications |
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