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參數資料
| 型號： | 2SB1132-R-TN3-T |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 封裝： | TO-252, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SB1132-R-TN3-T |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1132
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R208-016,B
MEDIUM POWER T RANS IS T OR
DES CRIPT ION
The UTC 2SB1132 is a epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
FEAT URES
* Low V
CE(SAT)
.
V
CE(SAT)
= -0.2V(Typ.) (I
C
/I
B
= -500mA/-50mA)
1
TO-252
1
SOT-89
*Pb-free plating product number: 2SB1132L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
B
C
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1132L-x-AB3-R
2SB1132L-x-TN3-R
2SB1132L-x-TN3-T
Package
3
E
E
E
Packing
2SB1132-x-AB3-R
2SB1132-x-TN3-R
2SB1132-x-TN3-T
SOT-89
TO-252
TO-252
Tape Reel
Tape Reel
Tube
2SB1132L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) R: Tape Reel, T: Tube
(2) AB3: SOT-89, TN3: TO-252
(3) x: refer to Classification of h
FE
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1132-X-AB3-R | MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132-X-TN3-R | MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132-X-TN3-T | MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132-P-AB3-R | MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132L-P-AB3-R | MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T113Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132T200Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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