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參數資料
型號: 2SB1151-T60-T
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT
中文描述: 低集電極飽和電壓大電流
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 122K
代理商: 2SB1151-T60-T
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1151
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., LTD
1
QW-R204-022,A
LOW COLLECT OR
S AT URAT ION V OLT AGE
LARGE CURRENT
FEAT URES
*High Power Dissipation : P
D
=1.5W(T
a
=25
*Complementary to 2SD1691.
)
TO -126
1
*Pb-free plating product number: 2SB1151L
PIN CONFIGURAT ION
PIN NO.
1
2
3
PIN NAME
Emitter
Collector
Base
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Normal
2SB1151-T60-T 2SB1151L-T60-T
Lead free
Package
Packing
TO-126
Tube
相關PDF資料
PDF描述
2SB1188-E-AB3-R MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB1188L-E-AB3-R MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB1188L-P-AB3-R MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB1188L-Q-AB3-R MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB1188L-x-AB3-R MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SB1153 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TOP-3L -170V -15A 150W BCE
2SB1154 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS TOP-3FA-130V -10A 70W BCE
2SB11540Q 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1154P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
2SB1154Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
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