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參數資料
| 型號： | 2SB1181R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至252AA |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 401K |
| 代理商： | 2SB1181R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SB1184F5 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SB1181TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1182 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS |
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