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參數資料
| 型號： | 2SB1182Q |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 中文描述： | 中功率晶體管（- 32V的，- 2A型） |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 538K |
| 代理商： | 2SB1182Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1182R | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 2SB893 | Large-Current Switching Applications |
| 2SB913 | Driver Applications |
| 2SB919S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| 2SB919Q | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1182-Q | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors |
| 2SB1182R | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 2SB1182-R | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors |
| 2SB1182TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1182TLQ/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -2A, CPT |
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