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參數資料
| 型號： | 2SB1184R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至252AA |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | 2SB1184R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1187 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1190 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1190A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
| 2SB1190AP | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1190AQ | TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1184-R | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors |
| 2SB1184TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1184TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1184TLQ/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -50V, -3A, CPT |
| 2SB1184TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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