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參數資料
| 型號： | 2SB1188-Q-AB3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SB1188-Q-AB3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1188
MEDIUM POWER LOW
V OLT AGE T RANS IS T OR
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R208-041,A
DES CRIPT ION
The UTC 2SB1188 is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEAT URES
*High current output up to 3A
*Low saturation voltage
SOT-89
1
*Pb-free plating product number: 2SB1188L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1188L-x-AB3-R
Package
3
E
Packing
2SB1188-x-AB3-R
SOT-89
Tape Reel
2SB1188L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89
(3) x: refer to Classification of h
FE2
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1188-x-AB3-R | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB1202L-X-TN3-T | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 2SB1202L-R-T6C-K | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 2SB1202L-R-T6C-R | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 2SB1202L-R-T6C-T | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1188R | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 2SB1188-R | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
| 2SB1188T100/R | 制造商:Rohm Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 32V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
| 2SB1188T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1188T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 2A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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