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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1197KT146 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | 2SB1197KT146 |
(96-134-B92)
FExternal dimensions (Units: mm)
227
Transistors
Low Frequency Transistor
(
*32V, *0.8A)
2SB1197K
FFeatures
1) Low VCE(sat).
VCE(sat)
x *0.5V
(Ic /IB =
*0.5A / *50mA)
2) IC =
*0.8A.
3) Complements the 2SD1781K.
FStructure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)
FElectrical characteristics (Ta = 25_C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1198KT146/Q | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1214TP-FA | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1217-K | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1217-L-AZ | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1197KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1197KT146Q/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -800mA, |
| 2SB1197KT146R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1197KXLT1 | 制造商:WILLAS 制造商全稱:WILLAS 功能描述:Low Frequency Transistor |
| 2SB1197-P | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors |
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