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參數資料
型號: 2SB1197KT146Q
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 800 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SMT3, SC-59, 3 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 46K
代理商: 2SB1197KT146Q
2SB1197K
Transistors
Rev.A
1/2
Low Frequency Transistor ( 32V, 0.8A)
2SB1197K
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat)
0.5V
IC / IB= 0.5A / 50mA
2) IC = 0.8A.
3) Complements the 2SD1781K.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
Abbreviated symbol: AH
All terminals have the
same dimensions
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
0
~0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3
0.6
1.1
0.8
±0.1
0.15
0.4
2.9
±0.2
1.9
±0.2
0.95 0.95
+
0.2 0.1
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
Denotes hFE
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
40
V
A
W
°C
32
5
0.8
0.2
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
Electrical characteristics (Ta=25 C)
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
40
32
5
120
200
12
0.5
390
0.5
30
VIC
= 50
μA
IC
= 1mA
IE
= 50
μA
VCB
= 20V
VEB
= 4V
VCE
= 3V, IC= 100mA
IC/IB
= 0.5A/ 50mA
VCE
= 5V, IE=50mA, f=100MHz
VCB
= 10V, IE=0A, f=1MHz
V
μA
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
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