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參數資料
| 型號： | 2SB1201U |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 50V五（巴西）總裁|甲一（c）|至252 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 405K |
| 代理商： | 2SB1201U |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1202R | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1202S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
| 2SB1202T | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1202U | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
| 2SB1203Q | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1202-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1202S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202T | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1202T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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