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參數資料
| 型號： | 2SB1202-T-TN3-K |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 中文描述： | 大電流開關應用 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | 2SB1202-T-TN3-K |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1202
PNP PLANAR TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 5
QW-R217-005.B
HIGH CURRENT S WIT CHING
APPLICAT ION
DES CRIPT ION
The UTC 2SB1202 applies to voltage regulators, relay drivers,
lamp drivers, and electrical equipment.
FEAT URES
* Adoption of FBET, MBIT processes
* Large current capacity and wide ASO
* Low collector-to-emitter saturation voltage
* Fast switching speed
TO-126C
1
TO-252
1
1
TO-251
*Pb-free plating product number: 2SB1202L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
E
C
B
C
B
C
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1202L-x-T6C-K
2SB1202L-x-TM3-T
2SB1202L-x-TN3-R
2SB1202L-x-TN3-T
Package
3
B
E
E
E
Packing
2SB1202-x-T6C-K
2SB1202-x-TM3-T
2SB1202-x-TN3-R
2SB1202-x-TN3-T
TO-126C
TO-251
TO-252
TO-252
Bulk
Tube
Tape Reel
Tube
2SB1202L-x-T6C-K
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) K: Bulk, T: Tube, R: Tape Reel
(2) T6C: TO-126C, TM3: TO-251, TN3: TO-252
(3) x: refer to Classification of h
FE1
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1202-T-TN3-R | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 2SB1202-T-TN3-T | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 2SB1240 | Medium power Transistor(-32V, -2A) |
| 2SB1277 | Medium power Transistor(-32V, -2A) |
| 2SB1188 | Medium power Transistor(-32V, -2A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1203S | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SB1203SE | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SB1203S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1203S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1203S-H-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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