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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1204R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 50V五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至252 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 405K |
| 代理商： | 2SB1204R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1204S | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1204T | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-252 |
| 2SB1205R | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1205S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252 |
| 2SB1205T | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1204S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1204S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1204T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1204T-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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