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參數資料
| 型號： | 2SB1204TL |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | 2SB1204TL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1143-T | 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2200GAG1509F34A | ABSOLUTE, STRAIN GUAGE PRESSURE SENSOR, 0-150Psi, 0.25%, 0.20-10.20V, CYLINDRICAL |
| 2200GAG150JA2SB | ABSOLUTE, STRAIN GUAGE PRESSURE SENSOR, 0-150Psi, 0.15%, 0.20-10.20V, CYLINDRICAL |
| 2200GAH50IPA3SB | ABSOLUTE, STRAIN GUAGE PRESSURE SENSOR, 0-5000Psi, 0.15%, 0.20-10.20V, CYLINDRICAL |
| 2200FA2G0IPF24A | ABSOLUTE, STRAIN GUAGE PRESSURE SENSOR, -15-185Psi, 0.25%, 0.10-5.10V, CYLINDRICAL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1204T-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1205S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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