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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1216QTP-FA |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TP-FA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | 2SB1216QTP-FA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1816TTP-FA | 4000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1216TTP-FA | 4000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1816RTP-FA | 4000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1816STP-FA | 4000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1816STP | 4000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1216S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1216S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1216S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1216S-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1216T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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