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參數資料
| 型號： | 2SB1217M |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至126 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | 2SB1217M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1225 | PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors for Driver Applications(驅動器應用的PNP硅外延平面型晶體管) |
| 2SB1226 | Driver Applications |
| 2SD1828 | Driver Applications |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SB1218AQL | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1218ARL | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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