- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄49978 > 2SB1230Q (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 15 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1230Q |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封裝： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | 2SB1230Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1230Q | 15 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD1840Q | 15 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD1842P | 40 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB1232P | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD1842Q | 40 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1234-TB-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 80V 50A SOT23 |
| 2SB1236ATV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。