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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1231P-YA |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SB1231P-YA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1231-YB | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB1232Q-YB | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB1232Q-RF | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB1232Q-CA | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB1232-YB | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1234-TB-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 80V 50A SOT23 |
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| 2SB1236ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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