- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369139 > 2SB1232P TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 40A I(C) | TO-247VAR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SB1232P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 40A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 100V的五（巴西）總裁| 40A條一（c）|至247VAR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 405K |
| 代理商： | 2SB1232P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1232Q | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1233 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
| 2SB1233A | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1233AP | TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
| 2SB1233AQ | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1234-TB-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 80V 50A SOT23 |
| 2SB1236ATV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。