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參數資料
| 型號： | 2SB1232Q-YA |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商： | 2SB1232Q-YA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1232Q-RA | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB1232Q-CA | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB1232P-YB | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB1338 | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1338-YD | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SB1236ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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