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參數資料
| 型號： | 2SB1233H |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | 2SB1233H |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1747H | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1743ATX | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1148AH | 10 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1754TX | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2215H | 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SB1236ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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