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參數資料
| 型號： | 2SB1237 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Medium Power Transistor |
| 中文描述： | 中等功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | 2SB1237 |
(96-120-B12)
External dimensions (Units: mm)
207
Transistors
Medium Power Transistor
(
32V,
1A)
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/ I
B
= –500mA / –50mA)
2) Compliments 2SD1664 /
2SD1858.
0.2V (Typ.)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SB1237TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1237TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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