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參數資料
| 型號： | 2SB1239 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transister(功率晶體管) |
| 中文描述： | 功率晶體管（功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SB1239 |
(96-126-B23)
(94S-321-D23)
283
Transistors
2SB1183 / 2SB1239 / 2SB786F
2SD1759 / 2SD1861 / 2SD947F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD947F | Power Transister(功率晶體管) |
| 2SB786F | Power Transister(功率晶體管) |
| 2SD352 | Ge NPN Alloy Junction |
| 2SB1261-Z | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
| 2SB1266 | AF Power Amp Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1239TV2 | 功能描述:達林頓晶體管 DARL PNP 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1240 | 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP |
| 2SB1240PRTV6 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1240TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1240TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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