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參數(shù)資料
型號: 2SB1240R
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
中文描述: 中功率晶體管(- 32V的,- 2A型)
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 130K
代理商: 2SB1240R
(96-131-B24)
External dimensions (Unit: mm)
215
Transistors
Medium power Transistor(
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
32V,
2A)
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/ I
B
=
2) Complements the 2SD1766 /
2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /
2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.
0.5V (Typ.)
2A /
0.2A)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1182 Medium power Transistor(中等功率晶體管)
2SB911M Medium power Transistor(中等功率晶體管)
2SB1277P MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
2SB1277Q MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
2SB1277R MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1240TV2P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1240TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1240TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1241 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR ATV -80V -1A 1W ECB
2SB1241TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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