- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369135 > 2SB1241Q TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SB1241Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|園區 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | 2SB1241Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1241R | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1243P | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
| 2SB1243Q | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1243R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
| 2SB1267R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1241TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1241TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1243TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1243TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1243TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。