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參數資料
| 型號： | 2SB1260L-Q-AB3-B |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 2SB1260L-Q-AB3-B |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1260
POWER T RANS IS T OR
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R208-017,C
DES CRIPT ION
The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
FEAT URES
*High breakdown voltage and high current.
BV
CEO
= -80V, I
C
= -1A
*Good h
FE
linearity.
*Low V
CE(SAT)
1
TO-252
1
SOT-89
*Pb-free plating product number: 2SB1260L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
B
C
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1260L-x-AB3-R
2SB1260L-x-TN3-R
2SB1260L-x-TN3-T
Package
3
E
E
E
Packing
2SB1260-x-AB3-R
2SB1260-x-TN3-R
2SB1260-x-TN3-T
SOT-89
TO-252
TO-252
Tape Reel
Tape Reel
Tube
2SB1260L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89, TN3: TO-252
(3) refer to Classification of h
FE
(4)Lead Plating
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1260L-Q-AB3-K | POWER TRANSISTOR |
| 2SB1260L-Q-AB3-R | POWER TRANSISTOR |
| 2SB1260L-Q-TN3-B | POWER TRANSISTOR |
| 2SB1260L-Q-TN3-K | POWER TRANSISTOR |
| 2SB1260L-Q-TN3-R | POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1260T100 | 制造商:Rohm 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SB1260T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1260T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1260T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1261-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
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