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參數資料
| 型號： | 2SB1261-ZM-E1 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MP-3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | 2SB1261-ZM-E1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1273Q-RB | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SB1273Q-RC | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD2027R-YA | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1912Q | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SB1273R-RC | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1268R-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1269R-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 7A TO-220MF |
| 2SB1274 | 制造商:n/a 功能描述:2SB1274 N9H1D |
| 2SB1274R | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1274S | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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