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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1290 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 封裝： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | 2SB1290 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1290D | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1301-T2 | 3000 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1301-T2ZR | 3000 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1301ZP | 3000 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1301-T1ZR | 3000 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1295 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSC-59 -15V -.8A .2WSURFACE MOUNT |
| 2SB12990P | 功能描述:TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1299P | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1301-T2 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1302S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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