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參數(shù)資料
型號: 2SB1306T103/QR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92L
封裝: TO-92L, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 101K
代理商: 2SB1306T103/QR
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PDF描述
2SB1328T105/PQ 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2007T105/QR 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1331T105R 2 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4243T105N 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1384R 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1308T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1308T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1308T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1316TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1319 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE
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