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參數資料
| 型號： | 2SB1308T100 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SB1308T100 |
(94S-166-B204)
(94S-342-D204)
290
Transistors
2SB1308
Transistors
2SD1963
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD1976 | 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1978 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1979T | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1985APQ | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1985PQ | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1308T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1316TL | 功能描述:達林頓晶體管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1319 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE |
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