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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1329T105 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SB1329T105 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1329T105R | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1329T105P | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1335A/F | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1335AE | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1335AF | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1333 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1333N | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1341 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB -480V -4A 40W BCE |
| 2SB1344 | 功能描述:TRANS DARL PNP 100V 8A TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1346 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -60V -3A 30W BCE |
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