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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1386L-Q-AB3-B-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 中文描述： | 低頻PNP晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | 2SB1386L-Q-AB3-B-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1386
LOW FREQUENCY PNP
T RANS IS T OR
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 5
QW-R208-019,B
FEAT URES
* Excellent DC current gain characteristics
* Low V
CE(SAT)
V
CE(SAT)
= -0.35V (Typ)
(I
C
/I
B
= -4A/-0.1A)
SOT-89
1
*Pb-free plating product number: 2SB1386L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1386L-x-AB3-F-R
Package
3
E
Packing
2SB1386-x-AB3-F-R
SOT-89
Tube
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1386L-Q-AB3-C-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 2SB1386L-Q-AB3-E-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 2SB1386L-R-AB3-B-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
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| 2SB1386L-R-AB3-E-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1386T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1386T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SB1390(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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