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參數資料
| 型號： | 2SB1386T100 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | 2SB1386T100 |
(96-141-B204)
FExternal dimensions (Units: mm)
211
Transistors
Low Frequency Transistor
(
*20V,*5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
FFeatures
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
*0.35V (Typ.)
(IC /IB =
*4A / *0.1A)
2) Excellent DC current gain charac-
teristics.
3) Complements the 2SD2098 /
2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.
FStructure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SB1446Q | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1446P | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1446S | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SB1386T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SB1390(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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