- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33338 > 2SB1403 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SB1403 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SB1403 |
2SB1403
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
3.0 k
(Typ)
180
(Typ)
1
2
3
ID
1
2 3
1. Base
2. Collector
3. Emitter
TO-220FM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1403 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1405 | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1405 | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1406 | 1500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1407(L)D | 2.5 A, 35 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。