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參數資料
| 型號： | 2SB1409S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進步黨 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SB1409S |
2SB1409(L)/(S)
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S)
Outline
4
123
L Type
4
3
2
1
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
S Type
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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