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參數資料
| 型號： | 2SB1412L-Q-TN3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | 2SB1412L-Q-TN3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB1412
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R209-021.B
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
FEATURES
* Excellent DC current gain characteristics
* Low VCE(SAT)
VCE(SAT)= -0.35V (Typ)
(IC/IB = -4A/-0.1A)
TO-252
1
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SB1412L-x-TN3-R
2SB1412G-x-TN3-R
TO-252
B
C
E
Tape Reel
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1412PTL | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1418AR | 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1418Q | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1418AP | 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1418P | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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