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參數資料
型號: 2SB1455S
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五(巴西)總裁| 7A條一(c)|至220VAR
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 136K
代理商: 2SB1455S
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PDF描述
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參數描述
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2SB1457(T6DW,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1
2SB1457(TE6,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1
2SB1457(TPE6,F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
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