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參數資料
| 型號： | 2SB1465 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.3 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | 2SB1465 |
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DARLINGTON TRASISTOR
2SB1465
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
(DARLINGTON CONNECTION)
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
Document No. D16130EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published November 2006 NS CP(K)
Printed in Japan
2002
The 2SB1465 is a mold power darlington transistor developed for low-frequency power amplifier and low-speed
switching. This transistor is ideal for use in a direct drive from IC output to relay drivers in switching equipment and
pulse motor drivers or relay drivers in such as OA and FA equipments.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
°C)
Collector to base voltage
VCBO
300
V
Collector to emitter voltage
VCEO
300
V
Emitter to base voltage
VEBO
7
V
Collector current (DC)
IC(DC)
300
mA
Collector current (pulse)
Note
IC(pulse)
600
mA
Base current
IB(DC)
30
mA
Total power dissipation (TC = 25
°C)
PT1
25
W
Total power dissipation (TA = 25
°C)
PT2
2.0
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Note PW
≤ 300
μs, duty cycle ≤ 10%
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
Electrode Connection
1. Base (B)
2. Collector (C)
3. Emitter (E)
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