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參數資料
型號: 2SB1470
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: For Power Amplification
中文描述: 8 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TOP-3L-A1, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 84K
代理商: 2SB1470
Power Transistors
2SB1470
Silicon PNP triple diffusion planar type darlington
1
Publication date: March 2003
SJD00076BED
For power amplification
Complementary to 2SD2222
Features
Optimum for 120 W HiFi output
High forward current transfer ratio h
FE
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
160
160
5
8
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
A
Peak collector current
I
CP
A
Collector power dissipation
P
C
150
W
T
a
=
25
°
C
3.5
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Internal Connection
B
C
E
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
=
30 mA, I
B
=
0
V
CB
=
160 V, I
E
=
0
V
CE
=
160 V, I
B
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
1 A
V
CE
=
5 V, I
C
=
7 A
I
C
=
7 A, I
B
=
7 mA
I
C
=
7 A, I
B
=
7 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.5 A, f
=
1 MHz
160
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
I
CEO
100
100
100
μ
A
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
Forward current transfer ratio
h
FE1
h
FE2
*
1
000
3
500
20
000
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
3
3
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
f
T
V
Transition frequency
20
MHz
Turn-on time
t
on
I
C
=
7 A, I
B1
=
7 mA, I
B2
=
7 mA
V
CC
=
50 V
1.0
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
t
stg
t
f
1.5
Fall time
1.2
Rank
Q
S
P
h
FE2
3
500 to 10
000 5
000 to 15
000 7
000 to 20
000
20.0
±
0.5
2.0
±
0.3
3.0
±
0.3
1.0
±
0.2
5.45
±
0.3
10.9
±
0.5
1
2
3
2
±
0
(
(
S
(
(
(
(
(1.5)
2
±
0
5.0
±
0.3
(3.0)
φ
3.3
±
0.2
(1.5)
2.7
±
0.3
0.6
±
0.2
(
(
Unit: mm
1: Base
2: Collector
3: Emitter
TOP-3L-A1 Package
相關PDF資料
PDF描述
2SB1481 TRANSISTOR (SWITCHING APPLICATIONS)
2SB1488 Silicon PNP triple diffusion planer type(For power switching)
2SB1490 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1492 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1493 For power amplification Complementary to 2SD2255
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參數描述
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