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參數資料
| 型號： | 2SB1500Q |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TOP3L, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | 2SB1500Q |
1
Power Transistors
2SB1500
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
For power amplification
Complementary to 2SD2273
s Features
q
Optimum for 40W HiFi output
q
High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000
q
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): < –2.5V
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–100
–80
–5
–6
–3
45
3.5
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
ICBO
ICEO
IEBO
VCEO
hFE1
hFE2
*
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
ton
tstg
tf
Conditions
VCB = –100V, IE = 0
VCE = –80V, IB = 0
VEB = –5V, IC = 0
IC = –30mA, IB = 0
VCE = –5V, IC = –1A
VCE = –5V, IC = –2A
IC = –2A, IB = –2mA
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz
IC = –2A, IB1 = –2mA, IB2 = 2mA,
VCC = –50V
min
–80
2000
5000
typ
20
2.0
0.7
max
–100
30000
–2.5
–3.0
Unit
A
V
MHz
s
TC=25°C
Ta=25
°C
Unit: mm
Internal Connection
B
C
E
*h
FE2 Rank classification
Rank
Q
P
hFE2
5000 to 15000 8000 to 30000
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TOP–3L Package
20.0
±0.5
6.0
10.0
26.0
±0.5
20.0
±0.5
1.5
2.5
Solder
Dip
10.9
±0.5
123
2.0
±0.3
3.0
±0.3
1.0
±0.2
5.0
±0.3
3.0
4.0
2.0
5.45
±0.3
0.6
±0.2
1.5
2.7
±0.3
1.5
2.0
φ 3.3±0.2
3.0
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
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http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1500 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1504R | 8 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1517T105/PR | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2005T105/QR | 1 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2007T105/PR | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB15040QA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB15040RA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1548 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUBBING WITH 2SB1548A-P |
| 2SB1548A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1548AP | 功能描述:TRANS PNP LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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