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參數資料
| 型號： | 2SB1594C |
| 英文描述： | 3-Pin, Ultra-Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|進步黨| 160V五（巴西）總裁| 10A條一（c）|至264AA |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SB1594C |
(94S-191-B228)
(94S-380-D228)
294
Transistors
2SB1561
2SD2391
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1599P | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | TO-243 |
| 2SB1599Q | 3-Pin, Ultra-Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SB1599R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | TO-243 |
| 2SB1502P | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1502Q | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB15990QL | 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB15990RL | 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1617(TP,Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SB1623AP | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1625 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM100-110V -6A 60W BCE |
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