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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1595/PR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
| 封裝： | TO-92LS, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SB1595/PR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2007T105/PQ | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1595TE4R | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
| 2SC2060T103R | 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SC2061T103/R | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SC5061/Q | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB15990QL | 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB15990RL | 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1617(TP,Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SB1623AP | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1625 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM100-110V -6A 60W BCE |
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