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參數資料
| 型號： | 2SB1649 |
| 廠商： | SANKEN ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達林頓）) |
| 中文描述： | 15 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PF, FM100, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 24K |
| 代理商： | 2SB1649 |
56
h
FE
Rank O(5000to12000), P(6500to20000), Y(15000to30000)
Darlington
2S B1649
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
Safe Operating Area
(Single Pulse)
θ
j-a
–t
Characteristics
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
0
–3
–2
–1
–1
–0.5
–10
–5
–200
–100
–50
Base Current I
B
(mA)
C
C
(
I
C
=–10A
I
C
=–15A
I
C
=–5A
0
–15
–10
–5
0
–3
–2
–1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=–4V)
15 aeep
2CCeep
–(aTm
–0.2
–0.5
–1
–5
–10 –15
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=–4V)
1,000
10,000
50,000
5,000
Typ
(V
CE
=–4V)
–0.2
–1
–0.5
–5
–10 –15
1000
5000
10000
50000
Collector Current I
C
(A)
D
F
25C
–30C
125C
Time t(ms)
0.1
1
3
0.5
1
10
100
1000
2000
T
θ
j
(
0.02
0.1
0.05
0.5
1
5
10
0
40
20
60
C
T
(
Z
)
(V
CE
=–12V)
Emitter Current I
E
(A)
100
80
60
40
20
3.5
0
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
0
25
50
75
100
125
150
–3mA
0
0
–5
–10
–15
–2
–6
–4
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
–1.5mA
–1.0mA
–0.8mA
I
B
=–0.3mA
–0.5mA
–2mA
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
(Complement to type 2SD2561)
Application :
Audio, Series Regulator and General Purpose
External Dimensions
FM100(TO3PF)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SB1649
–150
–150
–5
–15
–1
85(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
2SB1649
–100
max
–100
max
–150
min
5000
min
–2.5
max
–3.0
max
45
typ
320
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=–150V
V
EB
=–5V
I
C
=–30mA
V
CE
=–4V, I
C
=–10A
I
C
=–10A, I
B
=–10mA
I
C
=–10A, I
B
=–10mA
V
CE
=–12V, I
E
=2A
V
CB
=–10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
–40
R
L
(
)
4
I
C
(A)
–10
V
(V)
5
I
(mA)
10
t
on
(
μ
s)
0.7typ
t
stg
(
μ
s)
1.6typ
t
f
(
μ
s)
1.1typ
I
(mA)
–10
V
(V)
–10
4.4
1.5
1.5
B
E
C
5.45
±0.1
3.3
±0.2
1
3
1.75
0
±
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
2
±
1
9
±
5
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
3.35
0.65
+0.2
-0.1
±0.2
3
0.8
a
b
Weight : Approx 6.5g
a. Type No.
b. Lot No.
B
E
C
(70
)
Equivalent circuit
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| 2SB1689T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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