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參數資料
型號: 2SB1687
英文描述: 3-Pin, Ultra-Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
中文描述: 功率晶體管功率放大器
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 100K
代理商: 2SB1687
相關PDF資料
PDF描述
2SB1694T106 TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-323
2SB1695KT146 3-Pin, Ultra-Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SD2639D TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
2SD2639E TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
2SJ414 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1691WL-TL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin MPAK T/R
2SB169300L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 500MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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