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參數資料
| 型號： | 2SB1697 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Low Frequency Amplifier (-12V, -2A) |
| 中文描述： | 低頻放大器（- 12V的，- 2A型） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SB1697 |
2SB1697
Transistors
Rev.A
1/2
Low Frequency Amplifier (-12V, -2A)
2SB1697
z
Features
Low V
CE(sat)
V
CE(sat)
≤
180mV
(I
C
/I
B
=
1A/
50mA)
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
z
External dimensions
(Unit : mm)
Abbreviated symbol: FV
Each lead has same dimensions
ROHM : MPT3
JEITA : SC-62
JEDEC: SOT-89
1
0
1
0
1
0
3
0
1
(3)
4
(1)
(2)
0.5
4.0
2.5
1.0
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
2
4
500
150
55 to
+
150
1
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
mW
°
C
°
C
2
1
2
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
When mounted on a 40x40x0.7 mm ceramic board.
z
Packaging specifications
2SB1697
T100
1000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
15
12
6
270
Typ.
100
Max.
100
100
180
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
360
15
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
200mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
1A/
50mA
V
CE
=
2V, I
C
=
200mA
Cob
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Pulsed
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1698 | Low frequency amplifier |
| 2SB1705 | Low frequency amplifier |
| 2SB1706 | LOW FREQUENCY AMPLIFIER |
| 2SB1707 | Low frequency amplifier |
| 2SB1708 | Low frequency amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SB1698T100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR PNP; 30V; 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SB1706TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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