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參數資料
| 型號： | 2SB1709 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Genera purpose amplification(−12V, −1.5A) |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | 2SB1709 |
2SB1709
Transistors
Genera purpose amplification(
12V,
1.5A)
Rev.A
1/2
2SB1709
z
Application
Low frequency amplifier
Driver
z
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
V
CE(sat)
≤
200mV
at I
C
=
500mA / I
B
=
25mA
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
z
External dimensions
(Unit : mm)
ROHM : TSMT3
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
1
2
0.4
(3)
0.95
(1)
2.9
1.9
(2)
0.95
0.16
0~0.1
0
0.85
0.7
Abbreviated symbol
: EV
~
1.0MAX
Each lead hassame dimensions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
1.5
3
500
150
55~
+
150
1
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
2
1
2
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
Each Terhinal Mounted on a Recommended Land
z
Packaging specifications
2SB1709
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
15
12
6
270
Typ.
85
Max.
100
100
200
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
400
12
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
200mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
500mA, I
B
=
25mA
V
CE
=
2V, I
C
=
200mA
Cob
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1709TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1710TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1722J0L | 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1730TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1731TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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