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參數資料
| 型號： | 2SB1731TL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TUMT3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 2SB1731TL |
2SB1731
Transistors
Rev.A
1/2
Low frequency amplifier
2SB1731
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat)
≤370mV
at IC =1A / IB =50mA
Dimensions
(Unit : mm)
(1)Base
(2)Emitter
(3)Collector
ROHM : TUMT3
Abbreviated symbol : FL
0.2Max.
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
30
6
1.5
400
150
55 to +150
3
Unit
V
A
mW
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, PW=1ms
Packaging specifications
2SB1731
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
280
MHz
VCE
=2V, IE=100mA, f=100MHz
BVCBO
30
V
IC
=10A
BVCEO
30
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=30V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
200
370
mV
IC
=1A, IB=50mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=100mA
Cob
13
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB851 | Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors |
| 2SB908(2-7J1A) | 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB909M | Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors |
| 2SB910M | Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors |
| 2SC2351 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1732TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V 1.5A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1733TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB176 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB187 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -25V -.15A .2W |
| 2SB206 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GE PNP POWER BJT |
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