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參數資料
| 型號： | 2SB648A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 中文描述： | 硅外延進步黨（外延進步黨晶體管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SB648A |
2SB648, 2SB648A
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SD668/A
Outline
123
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126 MOD
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Ratings
Item
Symbol
2SB648
2SB648A
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
Tj
–180
–180
V
Collector to emitter voltage
–120
–160
V
Emitter to base voltage
–5
–5
V
Collector current
–50
–50
mA
Collector peak current
–100
–100
mA
Collector power dissipation
1
1
W
Junction temperature
150
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
–55 to +150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB649 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB649 | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB717 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB757 and 2SB758 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB648AB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648AC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648AD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB648B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
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