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參數資料
| 型號： | 2SB768K-E2 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MP-3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SB768K-E2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB768-E2 | 2000 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB768K | 2000 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB768M-E1 | 2000 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB768-T1L | 2000 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB768-T2K | 2000 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB768L | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:BJT |
| 2SB768M | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:BJT |
| 2SB77 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GERMANIUM PNP ALLOYED JUNCTION (LOW SPEED SWITCHING AUDIO FREQUENCY POWER OUTPUT) |
| 2SB772 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power -30VCEO -5VBEO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB772_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:PNP medium power transistor |
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