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參數(shù)資料
型號(hào): 2SB798DL
英文描述: BJT
中文描述: 雙極型晶體管
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大?。?/td> 32K
代理商: 2SB798DL
2SB791(K)
Silicon PNP Epitaxial
ADE-208-858 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Medium speed and power switching complementary pair with 2SD970(K)
Outline
TO-220AB
2 k
(Typ)
200
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
1
Tj
–120
V
Collector to emitter voltage
–120
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–8
A
Collector peak current
–12
A
Collector power dissipation
40
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB798DM Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits
2SB799MK BJT
2SB804 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
2SB805 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
2SB806 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
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參數(shù)描述
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